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NAND Flash市況好轉 長江存儲直接切入128層堆疊開發

隨著NAND Flash市況好轉,大陸記憶體廠商長江存儲16日宣布下一個階段的技術發展目標,將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入128 層NAND Flash 的研發工作,但尚未發布具體的目標時間表。大陸科技新聞驅動之家報導,對於長江存儲計畫跳過 96 層堆疊,直接投入128層堆疊 NAND Flash 產品的發展計畫,市場人士反映,在大陸極力發展自主半導體產業的情況下,期望彎道超車已經是各廠商努力的目標,只是屆時能不能完成,還有待觀察。 2020 年,全球 NAND Flash 產業將集體朝向 100 層以上堆疊的發展已經成為趨勢,例如南韓SK海力士已在近期出貨128層快閃記憶體並將在年底做到176層;三星有128層、136層,威騰、鎧俠(原東芝存儲)都是112層但存儲密度更高;美光128層;Intel則會做成144層。過去,長江存儲推出 64 層堆疊的NAND Flash 產品,相對於國際大廠有一到兩代的差距,因此這次選擇以128 層堆疊的產品發展,一旦真的成功,無疑的將能進一步縮小與業界其他領先對手的差距,不過在技術的挑戰性上也將會更大。在技術創新層面,長江存儲研發了自己的Xtacking堆疊架構,已經可以保證可靠性問題,下一代的Xtacking 2.0也正在推進中,會重點拓展性能、功能,也是直接上128層堆疊的重要關鍵。根據長江存儲先前的介紹,Xtacking 架構是在兩片獨立的晶圓上加工週邊電路和儲存單元,有利於選擇更先進的製程技術,提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、儲存密度,使得晶片面積也能減少約 25%。當兩片晶圓各自完工後,只需一個處理步驟就可透過數百萬根垂直互聯通道 (VIA),將兩片晶圓結合在一起。長江存儲強調,受惠於並行且模組化的產品設計及製造方式,這使得 Xtacking 架構的 NAND Flash 的開發時間也可縮短 3 個月,生產週期也可縮短 20%。長江存儲日前還發布,自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在2019年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能10萬片的規模,並達到計畫總產能每月30萬片的目標。長江存儲。圖/湖北日報 分享 facebook 長江存儲自研發64層快閃記憶體。圖/快科技 分享 facebook

體育中心/綜合報導中華男籃將於下個月將參加2021亞洲盃資格賽分組第一階段賽事,培訓名單也在17日出爐,由周儀翔、陳盈駿、胡瓏貿、吳永盛4名CBA球星領銜,而劉錚這次並未名列其中。中華隊將於1日30日起在晧宇國際亞洲區培訓中心展開集訓,並預定在2月21日及2月24日坐鎮主場和平館,對戰馬來西亞及日本。▲陳盈駿將是中華隊主力球星。(圖/記者劉家維攝影)中華男籃隊今年續由外籍教練C.Parker領軍,搭配顏行書、陳國維、范耿祥、楊哲宜組成本階段教練團;19位培訓球員則是涵蓋了SBL、UBA、ABL富邦勇士及CBA旅外球員,周儀翔、陳盈駿、胡瓏貿、吳永盛4位旅外好手將返台參賽,SBL共遴選12位球員呂政儒、周柏臣、陳冠全、李啟瑋、彭俊諺、于煥亞、蘇奕晉、黃鎮、黃泓瀚、黃聰翰、蔣淯安、謝宗融,富邦勇士林郅為、賴廷恩,以及UBA輔仁大學中鋒曾祥鈞。中華隊在本屆亞洲盃資格賽與中國、日本、馬來西亞同組,賽制與世界盃相同,各隊將在主、客場各出賽3場,三階段賽事分別將於今年2月、今年11月、明年2月舉行,中華隊2月21日首戰馬來西亞、2月24日迎戰日本,兩場主場賽事均安排在臺北和平籃球館進行。

中華隊亞洲盃培訓名單 CBA球星少了劉錚

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